
概要
小チップ用高速・高精度ダイボンダ
共晶、WBC/DAF*、エポキシプロセス対応
小信号トランジスタ、ダイオード等の小型ダイを対象とし、ウエハから直接リードフレームにダイボンディングする、熱共晶タイプの高速ダイボンダです。
- ウエハからダイをピックアップし、直接リードフレーム上に熱共晶にて、ダイボンディングします。
- ウエハシート上のダイの不良識別マークおよび大きなカケを自動検出して、良品のみをピックアップします。
- リードフレームは、フレームスタックローダより供給し、ボンディング後はアンローダマガジンに収納します。
特長
- ボンディング精度±20μm (3σ)(オプションにより±15μm (3σ))
- 従来機比UPH10%向上
- リニア駆動の採用により、リードフレームの高精度搬送を実現
- 幅86mmまでのフレームに対応し、Yボンディングエリア76mmに対応可能(熱共晶方式)
- 各種デバイスへフレキシブルに対応するための多彩な機能を用意(ウエハシート引き伸ばし量設定パラメータ、ダイ認識用カメラズーム機能等)
- エポキシユニットを搭載することにより、エポキシボンディングに対応(デュアルヘッド)
- ユニバーサルフィーダ搭載により幅100mm、長さ300mmまでのフレームに対応(ペースト滴下方式)
- ダイ裏面カメラ(オプション)の適用により、更なる高精度化、多彩な検査機能を実現
- 共晶、WBC/DAF*、エポキシプロセス間のプロセスコンバージョンキットを用意
* WBC/DAF : Wafer Backside Coating / Die Attach Film
使用例
つなぐ、ために整列!小型ダイ高密度実装
すべてにセンサーが搭載されるIoT社会では、多種の機能をできる限りコンパクトに押し込む必要がある。新川では、100um程度の小型ダイをハンドリングする技術を持ち、高速(最大UPH 20000強)、高精度(オプションにより、XY:±15um(3σ))ボンダを販売している。
この装置を活用すれば、写真のように150umのダイを30umのギャップを持って等間隔に配置することが可能となる。当該装置のハンドリング可能なダイサイズは最大3mm程度となっており、MEMS、RFモジュールなどの混載デバイスもコンパクトに設計することが可能となる。IoT時代に重要な役割を果たす装置と位置付けている。

プロモーション動画
製品スペック
項目 | 内容 |
---|---|
品名 | ダイボンダ |
型式 | STC-800 |
ボンディング方式 | 熱共晶方式、ペースト滴下方式、熱圧着方式 |
ボンディング精度 | スタンダード XY:±20μm(3σ)、θ:±3°(3σ)当社実装条件による 高精度対応 XY:±15μm(3σ)、θ:±3°(3σ)当社実装条件による |
マシンサイクルタイム | 0.140s/チップ(Y=40mm 時) 当社実装条件による平均 0.168s/チップ UPH21,400 |
フレームフィーダ設定温度 | 固定フィーダ:室温~500℃(3ch 制御) ユニバーサルフィーダ:室温(Option:室温~200℃) |
フレーム搬送 | 固定フィーダ、ピン搬送(熱共晶、熱圧着方式) ユニバーサルフィーダ、グリップ搬送(ペースト滴下、熱圧着方式) |
ウエハ引伸ばし量 | 5~15mm(可変) |
チップサイズ | □0.12~1.5mm(熱共晶、熱圧着方式) □0.3~3.0mm(ペースト滴下、熱圧着方式) |
ウエハサイズ | 最大 8 インチ |
ワークサイズ | 幅 20~86mm (最大ボンディングエリア=76mm)熱共晶方式 30~100mm(最大ボンディングエリア=90mm)ペースト滴下、熱圧着方式 長さ 120~260mm(最大ボンディングエリア=10mm)熱共晶方式 100~300mm(最大ボンディングエリア=10mm)ペースト滴下、熱圧着方式 厚さ 0.1~0.4mm |
オプション | マガジンローダストッカ方式、ダイ裏面認識機能 |
駆動源 | 入力電源 単相 AC200V±5% 50/60Hz(異なる電圧は、ご相談下さい) 消費電力 最大 2.23kVA(2.0kW)熱共晶方式 最大 0.93kVA(0.78kW)ペースト滴下方式 エアー 400kPa(4kgf/cm2)250L/min 接続:φ8 Tube 2 ヶ所 N2ガス 200kPa(2kgf/cm2)10L/min 接続:φ6 Tube 1 ヶ所 フォーミングガス N295%+H25%(熱共晶方式時のみ) 真空 -87kPa(-650mmHg)以下(ゲージ圧)接続:φ8 Tube 1 ヶ所 装置寸法及び質量 |
※ 性能改良のため、外観及び仕様の一部を変更することがありますのでご了承下さい。