为了连接、抓取纤薄之物、Pulse Vacuum Reverse Multi Step (PV-RMS)
向多层化发展的NAND闪存厚度，在即使包含粘结层的情况下，切薄至30um。如此纤薄，很容易弯曲和碎裂。为了粘结元器件，抓取芯片的技术必不可少，但同时处理极薄的芯片面临极大的困难。巧妙地利用元器件弯曲特性的抓取方式是Pulse Vacuum Reverse Multi Step（PV-RMS）。通过从sheet外部间断性地真空排气，利用弯曲芯片的恢复力，促使芯片高效剥离。不仅仅是薄芯片，对于易损坏的Through Silicon Via (TSV)构造等芯片同样有效，在未来电子元器件粘结领域，可谓关键技术。
高效连接、多段芯片一次性贴片
随着芯片的纤薄化、高密度化、大型化的发展，对于倒装芯片时的弯曲·装配精度提出了高要求。作为其解决方法，提案了Thermal Compression Bonding（TCB)工艺、适用于应用TSV (Through Silicon Via)最尖端存储（HBM、HMC等）。此工艺是在加压、加热的同时，进行电极端的锡铅合金接合以及Underflow的固化，由于此工艺需要10秒左右的单件工时，限制了生产力的提高。
新川对可能适用于多枚芯片一并粘结的各种工艺(Gang bonding, Collective bonding等)，进行了各种核心技术的基础研究·开发。通过各项核心技术的确立和高速TCB Bonder FPB系列的并用，在ECTC2017上公告了可以使生产力提升约20倍的研究成果。
