つなぐために薄いものをつかむ
Pulse Vacuum Reverse Multi Step (PV-RMS)
多層化が進むNANDフラッシュメモリの厚さは接着層も含めても30umを切りつつあり、この薄さでは、自在に曲がり簡単に割れてしまう。デバイスをボンディングするためには、ダイをピックアップする技術が必須であるが、極薄ダイのハンドリングには大きな困難がある。デバイスの屈曲をうまく利用したピックアップ方式が、Pulse Vacuum Reverse Multi Step (PV-RMS)である。シート外部から真空排気を断続的に行うことによって、屈曲したダイの復元する力を利用し、ダイの効率的な剥離を促す。薄ダイのみならず、壊れやすいThrough Silicon Via (TSV)構造を持つダイなどにも効果的であり、これからの電子デバイス実装において肝となる技術といえる。
効率よくつなぐ、多段チップ一括ボンディング
ダイの薄化、高密度化、大型化が進展するにつれ、フリップチップ実装時の反り・搭載精度に対して高い要求が求められる。その解決方法としてThermal Compression Bonding (TCB)工法が提案され、Through Silicon Via (TSV)活用最先端メモリ（HBM、HMC等）に適用されている。加圧、加熱とともに、電極部のはんだ接合およびアンダーフィルの固化を同時に行うプロセスであるが、プロセスに10秒程度のタクトを必要とするため、生産性の向上に限界があった。 新川では、複数ダイを一括ボンディングする各種工法（gang bonding、Collective bonding等）に適用可能な各種要素技術の基礎研究・開発を行っている。各種要素技術の確立と高速TCBボンダFPBシリーズの併用により、その生産性を20倍程度まで向上できることをECTC2017において報告した。
